Pabrik Akhir Radius Sudut Tungsten Carbide

1. Peningkatan kinerja pemotongan: Sudut bulat pada end mill mengurangi konsentrasi tegangan dan mengurangi kemungkinan terkelupas atau patah. Hal ini menghasilkan tindakan pemotongan yang lebih halus dan umur pahat yang lebih baik dibandingkan dengan pabrik ujung persegi.
2. Penyempurnaan permukaan akhir: Sudut bulat pada end mill membantu meminimalkan bekas pahat dan menghasilkan permukaan akhir yang lebih baik pada benda kerja. Hal ini sangat penting ketika mengerjakan bagian-bagian yang halus atau berpresisi tinggi.
3. Kemampuan penggilingan kontur: Desain radius sudut memungkinkan operasi pembuatan kontur atau pembuatan profil secara efisien. Mesin ini dapat dengan mulus mengikuti profil benda kerja yang melengkung atau tidak beraturan, sehingga memberikan lebih banyak keserbagunaan dalam pemesinan bentuk yang rumit.
4. Peningkatan kekuatan dan stabilitas: Pabrik akhir radius sudut tungsten karbida biasanya dirancang dengan dasar yang lebih luas dan tepi tajam yang lebih kuat, yang meningkatkan kekuatan dan stabilitasnya selama pemotongan. Hal ini menghasilkan akurasi yang lebih baik dan mengurangi defleksi, terutama pada aplikasi milling yang berat atau agresif.
5. Peningkatan evakuasi chip: Sudut bulat pada end mill membantu evakuasi chip secara efisien, mencegah pengepakan chip dan memungkinkan aliran cairan pendingin yang lebih baik. Hal ini membantu menjaga konsistensi kinerja pemotongan dan mengurangi risiko pemotongan ulang chip atau kerusakan alat.
6. Beberapa opsi seruling: Pabrik akhir radius sudut tungsten karbida tersedia dalam berbagai opsi seruling, seperti 2, 3, atau 4 seruling. Pilihan jumlah seruling bergantung pada aplikasi spesifik, bahan, dan parameter pemotongan yang diinginkan.
7. Opsi pelapisan: Pabrik akhir radius sudut tungsten karbida dapat dilapisi dengan pelapis berbeda, termasuk TiAlN, TiCN, atau AlTiN, untuk lebih meningkatkan kinerjanya. Pelapisan meningkatkan masa pakai alat, mengurangi gesekan, dan memberikan ketahanan terhadap panas, tergantung pada lapisan spesifik yang diterapkan.